Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния

Голикова О.А.

Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 464

Аннотация Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 1012-1014 см-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si--Si-связей) в нейтральном состоянии (D0), изменение зарядового состояния D0-> D-, переход a-Si : H-> a-Si, рост негомогенности структуры. Показано, как они зависят от исходных структурных и электронных характеристик пленок.