Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, 198904 Санкт-Петербург, Россия + Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экситонный волновод илазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице

Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Жуков А.Е., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Козин И.Э., Белоусов М.В., Бимберг Д. Экситонный волновод илазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 488

Аннотация Были проведены исследования оптических свойств структур с островками InAs и узкими квантовыми ямами GaAs в AlGaAs-матрице. Формирование островков InAs производилось путем осаждения слоя InAs с эффективной толщиной менее одного монослоя. Показано возникновение эффекта экситонного волновода и появление генерации при оптической накачке в красной области спектра в структурах без внешнего оптического ограничения слоями с меньшим показателем преломления.