Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (Технический универcитет), 197101 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии

Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П.

Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 57

Аннотация Предложена экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. Приведены результаты исследования распределения толщины и состава в слоях AlxGa1-xAs, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Данные эллипсометрии сравниваются с данными, полученными с помощью спектров комбинационного рассеяния