Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, 644077 Омск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов всверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311)

Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А.

Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Болотов В.В., Сачков В.А. Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления поперечных оптических фононов всверхрешетках GaAs / AlAs, выращенных на поверхностях (311) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 62

Аннотация Сверхрешетки GaAsn / AlAsm, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на поверхностях GaAs (311)A и (311)B, были исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света. Вид тензора комбинационного рассеяния света позволял, используя различные геометрии рассеяния, раздельно наблюдать моды TOy и TOx, где оси y и x--- направления смещения атомов, направленные вдоль и поперек фасеток на поверхности (311)A. Обнаружено расщепление мод TO1x и TO1y в сверхрешетках, выращенных на фасетированной поверхности (311)A GaAs. Наблюдалось усиление расщепления для свеpxрешеток со средней толщиной слоев GaAs 6монослоев и менее. Так как для сверxpешеток, выращенных в тех же условиях на поверхности (311)B, расщепления не наблюдалось, эффект расщепления можно связать с формированием квантовых проволок GaAs на фасетированной поверхности (311)A.