Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет (физический факультет), 394693 Воронеж, Россия &#36;Fachbereich Physik der Martin-Luther-Universitat Halle-Witteberg, D-06108 Halle/Saale, Deutschland *Institut fur Halbleitertechnik der Technischen Universitat ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Температурная зависимость остаточных механических напряжений вэпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения

Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Бочурова О.В., Домашевская Э.П., Шрайбер Й., Хильдебрандт С., Мо Ш., Пайнер Э., Шлахетцкий А.

Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Бочурова О.В., Домашевская Э.П., Шрайбер Й., Хильдебрандт С., Мо Ш., Пайнер Э., Шлахетцкий А. Температурная зависимость остаточных механических напряжений вэпитаксиальных пленках GaAs/Si(100) по данным спектроскопии фотоотражения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 73

Аннотация В области температур T=10/ 300 K при помощи спектроскопии фотоотражения исследована температурная зависимость остаточных механических напряжений в эпитаксиальных пленках n-GaAs (толщина 1/ 5 мкм, концентрация электронов 1016/1017 см-3), выращенных на подложках Si (100). Количественный анализ показывает, что спектры фотоотражения, измеряемые в энергетической области перехода E0 GaAs, двухкомпонентны и состоят из электромодуляционной компоненты, обусловленной переходом "валентная подзона |3/2;± 1/2>--зона проводимости", и низкоэнергетической экситонной компоненты. Величина механических напряжений определяется из значения деформационно-индуцированного сдвига энергии фундаментального перехода из подзоны |3/2;±1/2> по отношению к ширине запрещенной зоны ненапряженного эпитаксиального материала, E0(T)-E0|3/2;±1/2>(T). Обнаруженное увеличение энергетического сдвига E0-E0|3/2;±1/2> от 22± 3 мэВ при 296 K до 29± 3 мэВ при 10 K указывает на рост биаксиального напряжения растяжения при понижении температуры.