Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности роста пленок a-C : H и a-C : H&lt;Cu&gt; при магнетронном распылении

Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова Л.В.

Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Нащекин А.В., Шаронова Л.В. Особенности роста пленок a-C : H и a-C : H<Cu> при магнетронном распылении // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 96

Аннотация Рассматриваются особенности роста пленок a-C : H и a-C : H<Cu>, полученных магнетронным сораспылением графитовой и медной мишеней в аргоно-водородной атмосфере. Пленки исследованы методами инфракрасной спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии и эллипсометрии. Показано, что введение меди в аморфный гидрогенизированный углерод не приводит к заметному изменению углерод-водородных связей в матрице. В пленках a-C : H<Cu> толщиной ~ 2 мкм обнаружен прилегающий к подложке тонкий однородный слой (~1000 Angstrem), который сменяется текстурой, ориентированной от подложки к поверхности. Проведен анализ результатов эллипсометрических измерений в рамках двуслойной модели пленки.