Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Емкостные измерения вслучае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода отприложенного напряжения

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В.

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. Емкостные измерения вслучае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода отприложенного напряжения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 113

Аннотация Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости от частоты и малая величина емкостной отсечки), емкостные измерения в таких структурах могут быть некорректны.