Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. A.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Модифицирование полупроводников пучками протонов

Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н.

Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 129

Аннотация Выполнен анализ современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов: протонно-стимулированной диффузии, ионно-лучевого перемешивания и формирования пористых слоев. Показано, что анализируемый метод модифицирования (легирования) открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования--- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.