Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сканирующая туннельная микроскопия пленок аморфного углерода, модифицированного медью

Голубок А.О., Горбенко О.М., Звонарева Т.К., Масалов С.А., Розанов В.В., Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И.

Голубок А.О., Горбенко О.М., Звонарева Т.К., Масалов С.А., Розанов В.В., Ястребов С.Г., Иванов-Омский В.И. Сканирующая туннельная микроскопия пленок аморфного углерода, модифицированного медью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 223

Аннотация Приводятся экспериментальные результаты исследования методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии поверхности пленок аморфного гидрированного углерода, легированного медью. Результаты свидетельствуют о проявлении эффекта пространственной упорядоченности наноструктур в тонких пленках на основе углерода и меди. Измерены геометрические параметры наноструктур. В рамках модели Симмонса проведена оценка величины работы выхода (varphi~0.05 эВ). Обнаружены осцилляции дифференциальной проводимости с периодом по напряжению Delta V=200/400 мВ в туннельных контактах Ir--пленка. Обсуждается природа наблюдаемых осцилляций.