Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Квантово-механические особенности эффекта поля вгетеротранзисторах смодуляционным иdelta -легированием

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В.

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В. Квантово-механические особенности эффекта поля вгетеротранзисторах смодуляционным иdelta -легированием // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 234

Аннотация Построена замкнутая теоретическая модель эффекта поля в гетеротранзисторных структурах с модуляционным и delta-легированием. В модели последовательно учтены: квантование энергетического спектра электронов в канале и фермиевский характер заполнения соответствующих энергетических подзон. Используя оригинальный приближенный метод суммирования парциальных электронных плотностей нижних подзон пространственного квантования, получены результирующие зависимости поверхностной плотности от химического потенциала и напряжения на затворе транзистора, справедливые во всем диапазоне возможных концентраций носителей в канале, от малых (подпороговых) до сверхбольших (ультраквантовых).