Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц
Лебедев А.А., Савкина Н.С., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В. Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 249
Аннотация
Диоды Шоттки на основе n-n+-эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, а также слоев, коммерчески выпускаемых компанией CREE (США), использовались для регистрации alpha-частиц естественного распада. Поскольку толщина n-пленок была меньше пробега частиц, геометрия опыта отличалась от традиционной с полным торможением частицы в области электрического поля детектора. Путем сопоставления расчетных и экспериментальных данных изучались особенности переноса неравновесного заряда в режимах полного и частичного обеднения структуры. Показано, как из анализа поведения амплитуды сигнала и формы амплитудного спектра в зависимости от смещения на диоде Шоттки можно извлечь значения характеристик материала, определяющих перенос носителей. Из результатов следует, что получаемые в настоящее время сублимационные слои SiC пригодны для создания на их основе детекторов ядерных частиц.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален