Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Москва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Генерация неосновных носителей заряда уповерхности полупроводника приионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник

Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В.

Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Генерация неосновных носителей заряда уповерхности полупроводника приионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 283

Аннотация Численно проанализированы релаксационные сигналы--- температурные зависимости тока J(T) и высокочастотной емкости C(T),--- возникающие при термостимулированной деполяризации МДП структуры. Учтены как опустошение ионных ловушек, локализованных у границы раздела диэлектрик--полупроводник, так и генерация неосновных носителей заряда через объемный центр в полупроводнике глубиной ED.