Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Трансформирование неупорядоченной структурной сетки пленок аморфного гидрированного кремния при легировании бором

Мездрогина М.М., Пацекин А.В.

Мездрогина М.М., Пацекин А.В. Трансформирование неупорядоченной структурной сетки пленок аморфного гидрированного кремния при легировании бором // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 354

Аннотация Исследовано влияние технологических параметров осаждения, чистоты и относительной концентрации диборана, температуры подложки на электрофизические параметры пленок a-Si : H<B>, полученных методом высокочастотного разложения газовой смеси в многоэлектродной системе. Предполагается одновременное существование механизмов легирования и модифицирования при введении бора из диборана в процессе осаждения пленок a-Si : H<B>.