Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами

Агарев В.Н., Степанова Н.А.

Агарев В.Н., Степанова Н.А. К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 452

Аннотация Рассмотрено стационарное и нестационарное фотонапряжение, возникающее в многослойной структуре с p-n-переходами при неоднородной засветке, для произвольного соотношения длины диффузионного смещения L и размеров p- и n-областей d. Показано, что при d<< L из-за взаимного влияния соседних p-n-переходов фотонапряжение существенно меньше (в d2/12L2 раз), чем при обратном смещении. Релаксация фотонапряжения определяется перезарядкой барьерных емкостей p-n-переходов и на несколько порядков превышает время жизни неравновесных носителей зарадя в p- и n-областях. Полученные результаты применимы к объяснению особенностей эффекта аномального фотонапряжения в поликристаллических пленках.