Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Laboratorium fur Elektronenmikroskopie der Universitat Karlsruhe, Postfach 6980, D-76128 Karlsruhe, Germany +Exeter University, Stocker Road Exeter EX4 4QL, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазерная генерация в вертикальном направлении вструктурах InGaN/GaN/AlGaN сквантовыми точкамиInGaN

Крестников И.Л., Сахаров А.В., Лундин В.В., Мусихин Ю.Г., Карташова А.П., Усиков А.С., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Сошников И.П., Hahn E., Neubauer B., Rosenauer A., Litvinov D., Gerthsen D., Plaut A.C., Hoffmann A., Bimberg D. Лазерная генерация в вертикальном направлении вструктурах InGaN/GaN/AlGaN сквантовыми точкамиInGaN // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 496

Аннотация Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены гетероструктуры InGaN/GaN с плотными массивами нанодоменов InGaN. Показано наличие лазерной генерации в вертикальном направлении при низких температурах, что свидетельствует о реализации сверхвысокого усиления в активной области (~105 см-1). Реализация эффективного распределенного брэгговского отражателя AlGaN/GaN с коэффициентом отражения, превышающим 90%, позволила получить лазерную генерацию в вертикальном направлении при комнатной температуре в структуре с нижним распределенным брэгговским отражателем, несмотря на отсутствие хорошо отражающего врехнего зеркала. Длина волны лазерной генерации составила 401 нм, а пороговая плотность возбуждения--- 400 кВт/см2.