Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Fraunhofer Institute of Physical Measurement Techniques, 79110 Freiburg, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (lambda =3.0/ 3.6 мкм)

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Beyer T., Brunner R.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Beyer T., Brunner R. Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (lambda =3.0/ 3.6 мкм) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 504

Аннотация Показано, что увеличение внутренних потерь за порогом генерации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (диапазон длин волн lambda=3.0/3.6 мкм, температура T=77 K) приводит к токовой перестройке лазерной моды в голубую сторону, достигающей 80 см-1/А, и может объяснить уширение лазерной линии от 5 до 7 МГц с ростом тока накачки.