Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияГосударственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием

Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Николаев Ю.А.

Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Николаев Ю.А. Влияние электрически неактивных примесей на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных эрбием // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 526

Аннотация Исследовано влияние дополнительной имплантации электрически неактивных примесей углерода, кислорода, азота и фтора на образование донорных центров в кремнии, имплантированном эрбием. Показано, что дополнительная имплантация приводит к увеличению концентрации донорных центров, образующихся при отжигах. Изменение концентрации донорных центров зависит от типа вводимой примеси. Результаты указывают, что электрически неактивные примеси участвуют в образовании донорных центров.