Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияЗАО "Авангард-Электроника", 195271 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике

Новиков В.В., Варданян Р.Р., Пахомов Э.Е.

Новиков В.В., Варданян Р.Р., Пахомов Э.Е. Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 625

Аннотация Исследован новый метод модуляции подвижности основных и неосновных носителей заряда в кремнии. Показано, что под воздействием лавинного пробоя локально расположенного p-n-перехода происходит увеличение или уменьшение подвижности носителей заряда в объеме полупроводника в зависимости от ориентации пробиваемого p-n-перехода относительно направления движения носителей заряда.