Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики им.Х.И.Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения

Магомедов М.-Р.А., Исмаилов Ш.М., Магомедова Дж.Х., Хохлачев П.П.

Магомедов М.-Р.А., Исмаилов Ш.М., Магомедова Дж.Х., Хохлачев П.П. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 689

Аннотация Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.