Профиль » Публикация

Аннотация С использованием методов атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследован рельеф поверхности пленок SiO2 и их влияние на диффузию атомарного водорода в глубь полупроводника в процессе гидрогенизации. Показано, что при нанесении слоя диэлектрика на его поверхности образуются меза-структуры, проявляющиеся в виде гофрировки поверхности. Последнее обусловливает увеличение количества водорода, проникающего в глубь полупроводника в процессе гирдрогенизации. Нанесение пленки диэлектрика на поверхность полупроводника приводит к реконструкции поверхности n-GaAs, заключающейся в образовании квазипериодического рельефа. Обработка в атомарном водороде поверхности n-GaAs, покрытой защитной пленкой SiO2, приводит к изменению рельефа поверхности эпитаксиального слоя.