Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Korea Electrotechnology Research Institute, South Korea ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник

Берман Л.С., Белякова Е.И., Костина Л.С., Kim E.D., Kim S.C.

Берман Л.С., Белякова Е.И., Костина Л.С., Kim E.D., Kim S.C. Анализ зарядов и поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 814

Аннотация Разработан метод определения энергетического спектра зарядов и плотностей поверхностных состояний на границах раздела структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник, основанный на анализе вольт-фарадных характеристик. Экспериментальная проверка метода выполнена на структурах кремний--двуокись кремния--кремний, изготовленных путем прямого сращивания как зеркально полированных гладких пластин, так и пластин с регулярным мезаскопическим рельефом на внутренней поверхности из сращиваемых пластин. На поверхностях с регулярным рельефом потность поверхностных состояний меньше, чем на поверхностях без рельефа.