Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Fraunhofer Institute of Physical Measurement Techniques, 79110 Freiburg, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP (lambda =3.0-3.3 мкм) для диодно-лазерной спектроскопии

Айдаралиев М., Beyer T., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Beyer T., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP (lambda =3.0-3.3 мкм) для диодно-лазерной спектроскопии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 881

Аннотация Приведены данные о пороговых токах, дифференциальной квантовой эффективности, спектральном составе, токовой перестройке и мощности излучения диодных мезаполосковых лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP на диапазон длин волн lambda=3.0-3.3 мкм с длиной резонатора 70-150 мкм в интервале температур 50-107 K. Получены значения пороговых токов Ith