Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом

Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И.

Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 886

Аннотация Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазеры на гетероструктурах InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом, излучающие в диапазоне 1.3--1.5 мкм. Исследованы ватт-амперные и спектральные характеристики в импульсном и непрерывном режимах генерации в диапазоне температур 10-60oC. Определен перегрев активной области лазерного диода на 30-60oC относительно медного теплоотвода при насыщении мощности излучения в непрерывном режиме генерации. Установлено сильное влияние температурной зависимости дифференциальной квантовой эффективности на максимальную мощность в непрерывном режиме генерации гетеролазеров. В лазерах с мезаполосковым контактом шириной 100 мкм достигнута оптическая мощность излучения 3 и 2.6 Вт в непрерывном режиме генерации, 9 и 6.5 Вт--- вимпульсном режиме генерации соответственно на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм.