Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронно-ионный обмен намежфазных границах диэлектрик--полупроводник иеговлияние натранспорт ионов визолирующем слое

Гольдман Е.И.

Гольдман Е.И. Электронно-ионный обмен намежфазных границах диэлектрик--полупроводник иеговлияние натранспорт ионов визолирующем слое // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 984

Аннотация Построена теория ионного переноса в изолирующих слоях на поверхности полупроводников. Учтены процессы нейтрализации ионов, распада нейтральных ассоциатов ион + электрон, ионного дрейфа и диффузии нейтральных ассоциатов. Теория позволяет разрешить противоречие в интерпретации экспериментальных данных о ионной деполяризации слоев SiO2, которые проявляют себя взаимоисключающе: и как система ионных ловушек с широким распределением времен жизни, и как среда со свободными ионами. Роль ловушек играют нейтральные ассоциаты; широкое распределение времен жизни обусловлено разбросом длин туннелирования электронов при распаде ассоциатов. Повышение степени ионизации при квазистационарном уменьшении электрического поля обеспечивает плавный переход от совокупности малоподвижных нейтральных ассоциатов к ансамблю свободных ионов.