Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции

Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рыжиков А.С., Рябова Л.И., Акимов Б.А.

Васильев Р.Б., Гаськов А.М., Румянцева М.Н., Рыжиков А.С., Рябова Л.И., Акимов Б.А. Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 993

Аннотация Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Me) / p-Si (Me: Cu, Pd, Ni) с толщиной слоя SnO2 0.8-1 мкм. Средний размер кристаллита диоксида олова составлял 6-8 нм. Вольт-амперные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Вольт-амперные характеристики в атмосфере воздуха удовлетворительно описываются в рамках диодной теории с высокими значениями коэффициента неидеальности: beta~8-18. Адсорбция газовых молекул приводит к существенной модификации вольт-амперных характеристик как в области прямых, так и в области обратных смещений. Вид вольт-амперных характеристик объясняется с учетом активационных переходов через барьер, высота которого может как уменьшаться, так и увеличиваться в зависимости от типа адсорбированной молекулы, и изменения характера туннельных процессов на гетероконтакте.