Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * CSNSM-CNRS / IN2P3, 91405 Orsay, France ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O., Гутаковский А.К., Журавлев К.С., Kaitasov O., Bernas H.

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O., Гутаковский А.К., Журавлев К.С., Kaitasov O., Bernas H. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 1004

Аннотация Люминесцирующие нанокристалллы Si, сформированные в слоях SiO2, облучали электронами и ионами He+ с энергиями 400 и 25/1 30 кэВ соответственно. Действие облучения и последующих отжигов 600/ 1000o C исследованы методами фотолюминесценции и электронной микроскопии. После малых доз (~1 смещение / нанокристалл) обнаружены гашение фотолюминесценции нанокристаллов, но одновременно рост их числа. После больших доз (~103 смещений / нанокристалл) наблюдалась аморфизация, что не характерно для объемного Si. Обнаруженные явления объяснены генерацией точечных дефектов и их захватом границами Si--SiO2. Фотолюминесценция нанокристаллов восстанавливается при температурах менее 800oC, однако для кристаллизации преципитатов требуется около 1000oC. Наблюдавшееся после отжига усиление фотолюминесценции объясняется суммированием интенсивностей фотолюминесценции от исходных нанокристаллов и от возникших вследствие облучения.