Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния сподложкой сиспользованием имплантации водорода

Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К.

Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния сподложкой сиспользованием имплантации водорода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1095

Аннотация Получены структуры кремний-на-изоляторе путем отделения от пластины кремния тонкого слоя за счет имплантации водорода, переноса этого слоя на другую подложку и сращивания с ней. Исследовано влияние водорода и уровня легирования исходных пластин на концентрацию свободных носителей и тип проводимости в отсеченном слое кремния. Показано, что высокая концентрация бора в исходном материале в сочетании с высокой концентрацией остаточного водорода в слое кремния, отделенном от пластины, приводит к n-типу проводимости, который сохраняется до температур отжига структур 1100oC. Уменьшение концентрации остаточного водорода за счет дополнительного отжига создает условия, когда проводимость готовых структур соответствует типу проводимости исходного материала.