Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияГосударственное унитарное предприятие НПО "Орион", 111123 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нестационарный фотомагнитный эффект вмногослойных структурах сp-n-переходами

Агарев В.Н., Стафеев В.И.

Агарев В.Н., Стафеев В.И. Нестационарный фотомагнитный эффект вмногослойных структурах сp-n-переходами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1103

Аннотация Проведен анализ нестационарного напряжения, возникающего в супермногослойной структуре, представляющей собой последовательно включенные p-n-переходы, после подачи на нее смещения. Показано, что в таких структурах при освещении в магнитном поле возможно возникновение нестационарного фотомагнитного эффекта очень большой величины.