Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда награнице Si/SiO2 нафотоответ кремниевых барьерных структур

Бочкарева Н.И., Хорев С.А.

Бочкарева Н.И., Хорев С.А. Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда награнице Si/SiO2 нафотоответ кремниевых барьерных структур // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1228

Аннотация Исследовано влияние низкотемпературного перераспределения электронного заряда на границе Si/SiO2 между межфазными состояниями и зоной проводимости кристалла n-Si на температурное поведение проводимости, фотоэдс и фототока в барьерных структурах с краевыми электронными поверхностными каналами в области температур 77-300 K. Динамика токового отклика канала на изменение напряжения в темноте и при освещении может быть объяснена дисперсионным прыжковым транспортом дырок в SiO2, индуцирующим перенос и аккумуляцию электронов на поверхностиSi у барьерного контакта. Насыщение фотоэдс при низких температурах и немонотонные температурные зависимости фототока связываются с немонотонным увеличением плотности локализованных дырок на границе Si/SiO2 и свободных электронов на поверхностиSi при охлаждении, отражающем изменение валентности кислородных комплексов.