Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n+-Si--n-Si--Al2O3--Pd

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n+-Si--n-Si--Al2O3--Pd // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1275

Аннотация Исследованы вольт-амперные характеристики при T=100 и300 K, температурная зависимость прямого тока и фототока, влияние магнитного поля на фототок и влияние водорода на фотоэдс и темновой ток. Установлено, что механизм токопереноса как при T=100 K (I прапорционально exp(qV/4kT)), так и при T=300 K (I прапорционально Vm, m=4-5.6) определяется двойной инжекцией в диффузионном приближении. Диодные структуры усиливают фототок при обратном смещении. Установлено, что рост фототока в магнитном полеH (Delta Iph=alphaexpbeta H) может быть объяснен туннелированием фотоносителей при резонансном рассеянии на примесях с учетом их экспоненциального распределения по энергии.