Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоответ и электролюминесценция структур кремний--&lt;пористый кремний&gt;--&lt;химически осажденный металл&gt;

Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М.

Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний--<пористый кремний>--<химически осажденный металл> // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1386

Аннотация Исследованы фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства структур кремний--<пористый кремний> с химически осажденным металлическим контактом. Большая удельная площадь контакта и избирательное осаждение металла только на неквантово-размерные элементы структур обеспечивают лучшие фотоэлектрические характеристики фотодиодов, по сравнению со структурами с напыленным контактом, особенно в коротковолновой области спектра. Спектры электролюминесценции объясняются свойствами барьера металл--кремний при прямом смещении и двойной инжекцией носителей в квантово-размерные нанокристаллиты--- при обратном.