Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Friederich-Shiller University, Jena, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов

Котельников Е.Ю., Кацнельсон А.А., Кудряшов И.В., Растегаева М.Г., Рихтер В., Евтихиев В.П., Тарасов И.С., Алферов Ж.И.

Котельников Е.Ю., Кацнельсон А.А., Кудряшов И.В., Растегаева М.Г., Рихтер В., Евтихиев В.П., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1394

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлены двойные лазерные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с квантовой ямой. Изучение характеристик лазерных диодов с широким контактом (100 мкм) показало, что мощность катастрофической деградации зеркал может достигать практически тех же рекордных значений (20 MBт/см2), которые были получены ранее только для лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAsP/GaAs.