Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Department of Electrical Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Разъединенные гетероструктуры IIтипа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела

Моисеев К.Д., Ситникова А.А., Фалеев Н.Н., Яковлев Ю.П.

Моисеев К.Д., Ситникова А.А., Фалеев Н.Н., Яковлев Ю.П. Разъединенные гетероструктуры IIтипа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1438

Аннотация Кристаллически совершенные гетероструктуры IIтипа Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs на основе четверных твердых растворов, обогащенных антимонидом галлия, были получены на подложках InAs (001) методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальные слои GaInAsSb были выращены в условиях планарного двумерного роста с резкими по составу и планарными интерфейсами. Толщина переходного слоя на границе раздела Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs, обогащенного тяжелыми ростовыми компонентами (In и Sb), в совершенных структурах составляла 10--12 Angstrem. Шероховатость верхней границы целиком определялась условиями эпитаксиального роста и не превышала 500 Angstrem для структур с толщинами слоев порядка 2 мкм.