Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Овнутреннем квантовом выходе и выбросе носителей вквантово-размерных лазерах наоснове InGaAsP / InP
Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фeтисова Н.В. Овнутреннем квантовом выходе и выбросе носителей вквантово-размерных лазерах наоснове InGaAsP / InP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1457
Аннотация
С целью достижения максимальных значений внутреннего квантового выхода и выходной оптической мощности проведена оптимизация квантово-размерных лазерных гетероструктур InGaAsP / InP различных конструкций, излучающих в диапазоне длин волн 1.26--1.55 мкм. Экспериментально показано, что наибольший квантовый выход стимулированного излучения имеют гетеролазеры на базе лазерной структуры с расширенным трехступенчатым волноводом. В гетероструктурах предложенной конструкции обнаружено уменьшение выброса электронов из активной области в волновод. В лазерных диодах с шириной меза-полоска 100 мкм была получена мощность оптического излучения 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации; квантовый выход составлял 85% при внутренних оптических потерях 3.6 см-1.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален