Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской aкадемии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Длинноволновые светодиоды (lambda =3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb / InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии

Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П.

Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды (lambda =3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb / InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1462

Аннотация Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений выращены гетероструктуры InAs / InAs0.93Sb0.07 / InAs в реакторе горизонтального типа при атмосферном давлении. На основе выращенных структур изготовлены светодиоды, работающие на длинах волн lambda=3.45 мкм (T=77 K), lambda=3.95 мкм (T=300 K). Квантовая эффективность светодиодов при комнатной температуре составила 0.12%.