Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона насинтез стехиометрической фазы нитрида кремния вcлоях SixNy, сформированных ионной имплантацией

Демидов Е.С., Карзанов В.В., Лобанов Д.А., Марков К.А., Сдобняков В.В.

Демидов Е.С., Карзанов В.В., Лобанов Д.А., Марков К.А., Сдобняков В.В. Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона насинтез стехиометрической фазы нитрида кремния вcлоях SixNy, сформированных ионной имплантацией // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 21

Аннотация Исследован эффект стимулирования реакции синтеза фазы Si3N4 в слоях кремния, обогащенных азотом, под влиянием ионной имплантации аргона в обратную сторону кремниевых пластин. Получены зависимости изменения инфракрасного поглощения и удельного сопротивления синтезированных слоев от дозы внедрения аргона. Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пластин после имплантации аргона с различными дозами. Предложено объяснение эффекта как следствие действия ударных волн, возникающих при микровзрывах пузырьков аргона.