Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В.

Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Квазистатические ионные токи в тонких диэлектрических пленках МДП (металл--диэлектрик--полупроводник) структур и распределение ионов в пленках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 192

Аннотация Предложен метод расчета квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных пиков ионных токов на вольт-амперной характеристике. Рассматривается влияние полупроводника на вид вольт-амперной характеристики. Рассчитано распределение ионов в пленке; предложены формулы для определения фоновой концентрации ионов в пленке и их концентрации на границе раздела диэлектрик--полупроводник.