Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 Организация* Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия # Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 184-8588 Токио, Япония ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Новый магнитный полупроводник Cd1-xMnxGeP2

Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К.

Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К. Новый магнитный полупроводник Cd1-xMnxGeP2 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 305

Аннотация Выращен и исследован новый полупроводниковый материал, представляющий собой твердый раствор в группе тройных алмазоподобных полупроводников с переходным элементом Mn. Согласно рентгеновским дифракционным измерениям, кристаллическая структура подобна базовому материалу CdGeP2 с решеткой халькопирита. Межплоскостные расстояния и постоянная решетки снижаются с увеличением концентрации марганца: a=5.741 Angstrem ->5.710 Angstrem -> 5.695 Angstrem в ряду соединений CdGeP2->Cd1-xMnx GeP2->Cd1-yMnyGeP2 (x