Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетеропереходы IIтипа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства

Воронина Т.И., Журтанов Б.Е., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П.

Воронина Т.И., Журтанов Б.Е., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. Гетеропереходы IIтипа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 345

Аннотация Исследован магнитотранспорт в узкозонных гетеропереходах InxGa1-xAsySb1-y/GaSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии с различным составомIn в твердом растворе (x=0.85-0.95, Eg=<0.4 эВ). Показано, что в зависимости от содержанияIn в этих гетероструктурах может быть реализован ступенчатый гетеропереход IIтипа (приx=0.85) или разъединенный гетеропереход (приx=0.95) с высокоподвижным электронным каналом на гетерогранице (mu~=20 000 см2/В·с). При x=0.92 в зависимости от температуры наблюдаются оба типа гетеропереходов. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с зонной энергетической диаграммой изучаемых гетероструктур IIтипа InGaAsSb/GaSb.