Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гашение тока светом вдиодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г. Гашение тока светом вдиодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 479

Аннотация Исследован механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики анизотипной гетероструктуры с контактом Шоттки p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd. Выявленная зависимость I прапорционально V3 объяснена двойной инжекцией носителей в дрейфовом приближении. Обнаружено гашение (уменьшение) прямого тока при освещении светом в интервале lambda=0.7-1.2 мкм. Этот эффект объяснен особенностями захвата световых неосновных носителей, дырок, и их рекомбинации с темновыми электронами.