Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220027 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов

Абрамов И.И., Новик Е.Г.

Абрамов И.И., Новик Е.Г. Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 489

Аннотация Описаны три приближения для учета влияния фонового заряда на "островке" в предложенной двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора. С их использованием можно получить хорошее согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик одноэлектронных транзисторов по разработанной модели в самых разнообразных случаях. Показана эффективность применения приближений на конкретных примерах расчета вольт-амперных характеристик транзисторов.