Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Новая структура поверхностно-барьерного сенсора ультрафиолетового излучения наосновеCdS

Павелец С.Ю., Бобренко Ю.Н., Комащенко А.В., Шенгелия Т.Е.

Павелец С.Ю., Бобренко Ю.Н., Комащенко А.В., Шенгелия Т.Е. Новая структура поверхностно-барьерного сенсора ультрафиолетового излучения наосновеCdS // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 626

Аннотация В процессе изготовления сенсора в приповерхностной областиCdS выращивался слой высокоомного CdS илиZnSe. Приведены результаты сравнительных исследований известных CdS-сенсоров ультрафиолетового излучения ипереходов Cu1.8S--CdS с промежуточными слоями. Слои, встроенные в области пространственного заряда, снижают туннельные диодные токи более чем на 3порядка величины, при этом сохраняется высокая квантовая эффективность структур в ультрафиолетовой области спектра.