Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Состояния награницах ицентры сглубокими уровнями вструктурах кремний-на-изоляторе

Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А.

Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А. Состояния награницах ицентры сглубокими уровнями вструктурах кремний-на-изоляторе // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 948

Аннотация Методом емкостной спектроскопии проведено исследование глубоких уровней в отсеченном слое кремния, а также уровней ловушек--- как на границе Si / SiO2, полученной прямым сращиванием, так и на границе Si(подложка) / <термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе, созданных методом сращивания пластин кремния и расслоения одной из пластин путем имплантации водорода. Показано, что граница Si / <термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет непрерывный спектр состояний ловушек, близкий к случаю классических МДП структур. Распределение состояний в верхней половине запрещенной зоны для сращенной границы Si / SiO2 характеризуется относительно узкой полосой состояний в пределах от Ec-0.17 эВ до Ec-0.36 эВ. Кроме того, в отсеченном слое кремния наблюдаются два центра с уровнями Ec-0.39 эВ и Ec-0.58 эВ, которые сосредоточены в приповерхностном слое толщиной до 0.21 мкм и предположительно связаны с остаточными постимплантационными дефектами.