Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Процессы окисления полупроводников истроение границ раздела

Репинский С.М.

Репинский С.М. Процессы окисления полупроводников истроение границ раздела // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1050

Аннотация Рассмотрены эффекты самоорганизации межфазных границ полупроводников (разделяющие поверхности и реакционные зоны) для важнейших в технологии микроэлектроники процессов окисления полупроводников. Анализ кинетических данных позволяет получить значения энтропии активации процессов и показать, что для системы кремний--кислород наблюдается максимальный эффект самоорганизации реакционной зоны или границы раздела кремний--диоксид кремния.