Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367030 Махачкала, Россия ^&#36; Санкт-Петербургский государственный техническ ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность гетеропереходов a-C : H / c-Si

Барышников В.Г., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Барышников В.Г., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетеропереходов a-C : H / c-Si // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1338

Аннотация Методом тлеющего разряда в газовой смеси CH4+Ar на пластинах c-Si получены слои a-C : H. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов a-C : H / c-Si. В полученных гетеропереходах обнаружено выпрямление и широкополосный фотовольтаический эффект. Показано, что поляризационная фоточувствительность в этих структурах возникает в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения со стороны слоев a-C : H, а обнаруженные осцилляции в спектре коэффициента наведенного фотоплеохроизма обусловлены интерференцией излучения в этих слоях.