Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220027 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические характеристики интерференционных транзисторов содним затвором наразличных полупроводниковых материалах

Абрамов И.И., Рогачев А.И.

Абрамов И.И., Рогачев А.И. Электрические характеристики интерференционных транзисторов содним затвором наразличных полупроводниковых материалах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1365

Аннотация Проведено теоретическое исследование вольт-амперных и частотных характеристик однозатворных интерференционных T-транзисторов на квантовых проволоках различных полупроводниковых материалов, а именноSi, Ge, GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP. Осуществлен учет двух механизмов рассеяния в модели T-транзистора с целью оценки их влияния на электрические характеристики приборов. Адекватность предложенной модели проверена путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Приведенные в работе расчеты выполнены с помощью подсистемы моделирования приборов на квантовых проволоках QW-NANODEV.