Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Средний порядок иоптоэлектронные свойства тетраэдрически координированного гидрированного аморфного полупроводника

Голикова О.А.

Голикова О.А. Средний порядок иоптоэлектронные свойства тетраэдрически координированного гидрированного аморфного полупроводника // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1370

Аннотация Определены корреляции между характеристикой среднего порядка в структуре a-Si : H и плотностью дефектов, их зарядовым состоянием, оптической шириной запрещенной зоны, ее пространственными флуктуациями. Показано, что модифицирование структуры на уровне среднего порядка за счет образования нановключений может приводить к радикальному росту фотопроводимости и к упорядочению структуры аморфной матрицы.