Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры сшироким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С.

Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры сшироким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1380

Аннотация Разработана технология газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) лазерных гетероструктур всистеме твердых растворов InGaP/GaAs/InGaAs намодифицированной установке Epiquip VP-50-RP. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды спороговыми плотностями тока Jth=100-200 A/cм2, внутренними оптическими потерями alphai=1.3-1.7 см-1 и внутренним квантовым выходом etai=60-70%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 5 Вт для лазерного диода сапертурой 100 мкм на длине волны излучения 1.03 мкм. Показано, что использование волноводных AlGaAs-слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, ослабляет температурную чувствительность лазерных гетероструктур втемпературном диапазоне 10--80oC.