Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Контакт металл--карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М.

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Контакт металл--карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1437

Аннотация В рамках простой модели проанализированы результаты измерений высоты барьера Шоттки Phinb на контакте хрома с политипами карбида кремния 8H-, 6H-, 15R-, 27R- и4H-SiC-n-типа проводимости. Показано, что величина Phinb пропорциональна концентрации кремниевых вакансий в политипах. Обсуждаются результаты измерений Phinb на контактах палладия и платины с политипами карбида кремния.