Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут кристаллографии Российской академии наук, 117333 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние динамического старения дислокаций надеформационное поведение примесных полупроводников

Петухов Б.В.

Петухов Б.В. Влияние динамического старения дислокаций надеформационное поведение примесных полупроводников // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 129

Аннотация Произведено обобщение теории Александера--Хаазена, описывающей деформационное поведение малодислокационных кристаллов полупроводников, с учетом эффекта динамического старения дислокаций, обусловленного увлечением примесей. Развитая теория объясняет ряд качественных отличий упруго-пластического перехода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, от наблюдаемых в более чистых кристаллах. Вчастности, это касается зависимости высоты зуба текучести от начальной плотности дислокаций и ослабления скоростной чувствительности деформирующего напряжения.